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    晶体管

    华为麒麟1020新说:5nm成就每平方毫米1.713亿个晶体管

    华为麒麟1020新说:5nm成就每平方毫米1.713亿个晶体管

    [摘要]高通骁龙865发布了,性能轻取安卓阵营桂冠,而善于打时间差的华为下一代麒麟旗舰也开始频繁曝料,不出意外将在明年下半年的Mate 40系列上首发。

      高通骁龙865发布了,性能轻取安卓阵营桂冠,而善于打时间差的华为下一代麒麟旗舰也开始频繁曝料,不出意外将在明年下半年的Mate 40系列上首发。

      麒麟990 5G处理器采用了台积电7nm EUV工艺,集成103亿个晶体管,移动SoC中首次过百亿,芯片面积为113.31平方毫米,算下来每平方毫米大约9090万个晶体管。

      华为下一代旗舰SoC据说会叫做麒麟1020,代号巴尔的摩(Baltimore),曝料称相比于麒麟990性能可提升多达50%,主要原因是CPU架构从A76跨代升级到A78,领先高通骁龙865、联发科天玑1000里使用的A77,同时标配集成5G基带。

      麒麟1020几乎锁定采用台积电5nm工艺,晶体管密度自然将大大提升,最新消息称每平方毫米有望达到1.713亿个左右,对比麒麟990 5G增加了接近90%。

      5nm将是台积电的又一个重要工艺节点,使用第五代FinFET晶体管技术,EUV极紫外光刻技术也扩展到10多个光刻层,并分为N5、N5P两个版本,前者相比于N7 7nm工艺性能提升15%、功耗降低30%,后者在前者基础上继续性能提升7%、功耗降低15%。

      台积电目前正在试产5nm,测试芯片平均良品率高达80%,最高可超90%,预计在明年上半年投入大规模量产。

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